A Samsung anunciou nesta semana o início da produção em massa de sua primeira eMRAM (memória de acesso aleatório magnético embutido, em português), na litografia de 28 nanômetros. O padrão magnético chega como uma alternativa mais eficiente às memórias eFlash, padrão atual de RAM e o mais utilizado em sistemas integrados.
Essa nova maneira de produzir as memórias magnéticas foi apresentada pela Samsung em 2016, mas só agora começa de fato a se tornar uma linha de produtos comerciais da empresa. A novidade promete um ganho de velocidade de mil vezes em relação ao eFlash. Além disso, é uma opção mais econômica de memória não volátil, que não perde os dados quando o dispositivo está energizado.
Essas características da eMRAM da Samsung fazem com que as novas memórias se tornem uma opção interessante para praticamente qualquer usabilidade. A versatilidade do padrão permite que ela seja aplicada em dispositivos de Internet das coisas (IoT), sistemas móveis, eletrônicos diversos e SOCs – sistemas que agregam processador, memória e até mesmo GPU em um mesmo chip.
A Samsung afirma ainda que a fabricação em 28 nm também oferece economia nos custos de produção e facilidade na incorporação do novo padrão, tornando assim o eMRAM ainda mais interessante e acessível. A fabricante não é a única a desenvolver soluções do tipo, já que a GlobalFoundries e a Intel também estão desenvolvendo suas memórias. Essa última, inclusive, anunciou no início do ano que está pronta para a produção em massa do dispositivo.
